刘庆元,帅世荣,左林森,李阳,李俊,蒋金秀,魏源,魏占涛,刘进,肖礼康

• 1:中国电子科技集团公司第九研究所

摘要(Abstract)：

采用助熔剂法基于PbO、PbF_2、B_2O_3助熔剂体系，并通过添加过量ZnO的方式弥补元素挥发，最终生长了晶体线度超过10 mm的尖晶石型高饱和磁化强度的NiZn铁氧体单晶材料，所加工的单晶小球表面光洁度良好，室温下10 GHz铁磁共振线宽小于13 Oe，且Laue衍射斑点清晰无劈裂，表明所生长的晶体具有良好的结晶质量。通过VSM对生长的NiZn铁氧体单晶材料进行磁性测试分析发现，样品的饱和磁化强度(4πM_s)达到5120 G，居里温度约为603 K，且饱和磁化强度温度系数小于0.3%/K。进一步使用共面波导法详细研究了NiZn铁氧体单晶材料铁磁共振线宽的温度特性，发现其铁磁共振线宽在约280 K处存在极大值。

关键词(KeyWords)： NiZn铁氧体单晶;饱和磁化强度;铁磁共振线宽;温度系数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘庆元,帅世荣,左林森,李阳,李俊,蒋金秀,魏源,魏占涛,刘进,肖礼康

DOI: 10.19594/j.cnki.09.19701.2026.01.005

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